PN结是指由一种带正电荷的材料(P型)和一种带负电荷的材料(N型)共同组成的半导体器件结构，其原理是在P材料和N材料接触处形成一个无载流子区域，即空间电荷区，从而形成了一个特殊的电子器件。

PN结的原理公式可表示为：

V_{bi}=\frac{kT}{q} \ln \left(\frac{N_AN_D}{n_i^2}\right)

其中，Vbi为PN结的内建电势；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；q为电荷数；N_A和N_D为P型材料和N型材料的掺杂浓度；n_i为内在载流子浓度。

这个公式描述了PN结内部空间电荷区的形成机制。当P型材料和N型材料的掺杂浓度不相等时，PN结内部就会形成一个内建电势差，从而抑制了外界的电子流和空穴流，实现了PN结的电子器件特性。

pn结原理可以用以下公式描述：

j = j0 [exp(qv/kbt) - 1]

其中，j是pn结的电流强度，j0是饱和电流密度，q是元电荷，v是pn结的电压，kb是玻尔兹曼常数，t是绝对温度。该公式描述了pn结的电流和电压之间的关系，即在没加电压的情况下，pn结内部存在着漏电流和扩散电流，而pn结加上反向电压后，会使得漏电流变强，正向电压则会加剧扩散电流的作用，最终导致pn结的结电流产生变化。