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整流器的作用和原理
采用不同的掺杂工艺,在同一硅半导体衬底上通过扩散制作P型半导体和N型半导体,在它们的界面上空之间的电荷区称为PN结。具有PN结单边导电性。 在PN结上加一个电压,即P结接正电压,N结接负电压,电流会从P结侧流向N结侧,空空穴和电子会向界面移动,使空之间的电荷面积变窄,电流可以顺利通过并导电。如果N结连接到电压正极,P结同时连接到负极,那么空空穴和电子将从界面移开,从而使空之间的电荷区变宽...
日期:2026-02-08
采用不同的掺杂工艺,在同一硅半导体衬底上通过扩散制作P型半导体和N型半导体,在它们的界面上空之间的电荷区称为PN结。具有PN结单边导电性。 在PN结上加一个电压,即P结接正电压,N结接负电压,电流会从P结侧流向N结侧,空空穴和电子会向界面移动,使空之间的电荷面积变窄,电流可以顺利通过并导电。如果N结连接到电压正极,P结同时连接到负极,那么空空穴和电子将从界面移开,从而使空之间的电荷区变宽...
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