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场效应管5n60c技术参数
5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流为4、5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V。功耗:33W，工作温度范围:-55°Cto+150°C，封装类型:TO-220F，功率，Pd:33W，封装类型:TO-220F，常用于开关电源中作开关管...
日期：2026-02-07
5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流为4、5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V。功耗:33W，工作温度范围:-55°Cto+150°C，封装类型:TO-220F，功率，Pd:33W，封装类型:TO-220F，常用于开关电源中作开关管...
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